［米国］
「世界最速」の半導体ディスクが登場──処理性能はHDDの600倍以上

（2006年11月21日）

　米国テキサス・メモリ・システムズ（TMS）は先週、一般のディスク・ドライブに比べ600倍以上の高速処理を実現する半導体ディスク装置（SSD）の提供を開始したと発表した。同社は「世界最速」をアピールしている。

　同社の半導体ディスク装置「RamSan」にクラスタリング技術「InfiniBand」を採用したことで、高性能コンピューティング（HPC）環境においてより高速なデータ・アクセスを実現できるという。

　「InfiniBandの特徴である低レイテンシと高速性により、RamSanは世界最速のストレージになった」と同社は主張している。ちなみに、RamSanは米国政府の情報監視システム「Echelon」にも採用されている。

「InfiniBand RamSan」の筐体

　新製品は、純粋なInfiniBand環境およびInfiniBand／Fibre Channelの混在環境の両方において、10GbpsのInfiniBandリンクでデータ・アクセスを実現する。クラスタ化されたHPC環境では、HDDをメイン・メモリに近い速度のSSDに置き換えてI/Oスピードを引き上げることができる。

　ストレージIOグループの創設者でシニア・アナリストのグレッグ・シュルツ氏は、RamSanの新製品がデータセンターのアップグレードを促すと見ている。「InfiniBand接続をサポートする高性能半導体ディスクの提供は、I/Oボトルネックを解消したい企業のデータセンターのアップグレードを後押しするだろう」（同氏）

　RamSanドライブのアクセス速度は、HDDの250倍のスピードに当たる15マイクロ秒（100万分の1秒）。高性能なHDDでも1秒当たり250～300ランダムI/O（IOPS：Input Output Per Second）であるのに対し、InfiniBandベースのRamSanドライブは、シングルポートのコントローラ1台当たり最大5万ランダムIOPS、4台で20万ランダムIOPSの処理能力を発揮する。

　HDDアプリケーションを半導体ディスクに移行すれば、即座に性能向上を図ることができる。サンディエゴ・スーパー・コンピューティング・センターではHDDからRamSan SSDへの移行後、メタデータ・バックアップの処理速度が38倍伸びたとしている。

　なお、InfiniBand RamSanはTMSのパートナー企業が販売する。

4GBシングルチップ・ドライブ製品も登場

　米国シンプルテックからは、IDEまたはUSBインタフェース・ベースのシングルチップ・ドライブ「Single Chip Drive」が登場した。容量は12MB～4GB。システム・ボード上でコンパクト・フラッシュ（CF）コネクタが不要になるため、より低コストでCFを置き換えられる。シングルチップ・ドライブは現在、カーナビゲーション、ネットワーキング機器、POS端末などの分野で導入されている。

　同製品には5バイト・エラーを検出でき、4バイト・エラーを訂正できるECCエンジンが内蔵され、NANDフラッシュの信頼性とユーザビリティ時間の向上を実現する。ウェアレベリング（平滑化）アルゴリズムで200万回の書き込み／消去回数を保証するという。

　現在エンジニアリング・サンプルが提供されており、量産は来年の予定だ。

　これらの製品は、フラッシュ・メモリ・ドライブの発達の速さを示すものだ。PCソフトウェア・スタックをすべて持ち運びできる30GBのUSBサムドライブなど新たな構想も生まれている。

(クリス・ミラー／Techworld.com)