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［米国］
IBM、22nmプロセスのSRAMセルを開発――2011年までに製品化
メモリ・セルの小型化により、CPUの高性能化が可能に
（2008年08月19日）
米国IBMは8月18日、PC／サーバ向けCPUの消費電力を引き下げ、性能を向上させるうえで重要となるメモリ・チップの小型化に成功したと発表した。同社では、CPUで使用するテスト用メモリ・チップの線幅を22ナノメートル（nm）にすることで、プロセッサの多機能化と処理速度の向上、消費電力の低減を実現できたとしている。
このメモリ・チップは、SRAM（Static Random Access Memory）セルと呼ばれるもので、CPUに組み込まれ、処理前のデータを一時的に保存するため使われる。
IBMのプロジェクト・マネジャー、ムケシュ・カーレ（Mukesh Khare）氏によると、メモリ・セルの小型化は、マイクロプロセッサを小型化するための重要な要素になるという。IBMは2011年までに22nmプロセスを使用するCPUを製造する方針だ。
カーレ氏は、22nmプロセスを使用することにより、より小型のチップに3Dグラフィックスやアニメーションなどの多彩な機能を搭載したり、グラフィックス・チップをマイクロプロセッサの中に組み込んだりすることができると語っている。
「CPUに組み込まれるコアの数が増えると、マイクロプロセッサ内のメモリも大幅に増強する必要が出てくる。マイクロプロセッサのメモリを増やすための技術の開発は、CPUを拡張するための基本的な要件である」（カーレ氏）
1nmは10億分の1メートルに相当し、チップ表面の最も小さな要素はnm単位で表される。
チップ・メーカーは、消費電力を引き下げ、処理速度を向上させるため、常に最新のチップ製造技術を導入しようとしている。IBMのライバルである米国Intelは、45nmプロセスを使用したチップを製造しており、2011年には22nmプロセスへの移行を計画している。IBMも45nmプロセスへの切り替えを年内に実施する予定だ。
カーレ氏は、「今後も新たな世代のチップを開発して、機能の拡張と回路の小型化に取り組んでいきたい。技術開発の余地は数多く残っている」と語る。
IBMによるSRAMセルの研究は、米国オルバニー大学ナノスケール科学工学校（CNSE）において、米国AMD、米国Freescale Semiconductor、スイスのSTMicroelectronics、東芝などのパートナーと共同で進めており、今回のテスト用SRAMチップは、同大学の小型製造ユニットを使って作られた。
(Agam Shah／IDG News Serviceサンフランシスコ支局)
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