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［韓国］
サムスン電子、40nmプロセス製造の32ギガNANDメモリを発表──量産レベルで世界最大容量
（2006年09月12日）
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| サムスン電子が開発した32ギガビットのNAND型フラッシュメモリ |
韓国のサムスン電子は9月11日、40nmプロセスで製造された同社初の32ギガビットNAND型フラッシュメモリを発表した。同チップを搭載したメモリ・カードでは、最大で65GB（映画40本分）のデータを保存できるという。
今回発表されたNAND型フラッシュメモリは、サムスン版ムーアの法則で第7世代の製品に相当するもの。同社ではNAND型フラッシュメモリの容量を12カ月ごとに倍増させる計画だ。
家電業界にとって、こうした進歩はきわめて重要だ。市場では写真やビデオ、音楽などのデータを大量に保存できる、小型化、多機能化したデジタル機器が求められているが、こうした傾向は今後も続くとアナリストらは予想している。
40nmチップ製造手法は、チップを小型化、高速化、高機能化し、製造コストを抑えるうえでかぎとなる技術である。1nmは、1mの10億分の1に相当し、チップにエッチングされるトランジスタなどの部品サイズを表す際に使用される。通常、トランジスタの数が多ければ多いほど、また、集積度が高ければ高いほど、チップは高速にタスクを遂行することができる。
サムスンは、今回の発表に合わせて、新たなチップ設計手法「Charge Trap Flash（CTF）」を発表。これにより、同社は将来、NAND型チップを20nmプロセスまで小型化し、256ギガビットのチップを製造できるようになるとしている。例えば、32ギガビットのチップでは、CTFによってコントロール・ゲートが従来のフローティング・ゲート構造の5分の1になるという。CTFにはフローティング・ゲートはないが、その代わりにデータは窒化ケイ素でできたホールディング・チェンバーに一時的に蓄えられるという。
サムスンはほかにも、ブートの高速化と消費電力の削減を実現した自社製ハイブリッド・ドライブ用の新チップも同時に投入するとしている。この新チップは、従来チップの複数個分の仕事をこなすことから、同社では「システム・オン・チップ（SoC）」と呼んでいる。ちなみに、ハイブリッド・ドライブとは、NAND型フラッシュメモリをディスク・キャッシュとして搭載するノートPC向けのハードディスクの一種である。同社では、この新チップに最大4GBのNAND型フラッシュメモリをデータ・バッファとして組み込むことで、バッテリーの寿命を延ばすとともにブートをさらに高速化することができると説明している。
各チップは今年11月から量産される予定となっている。
(ダン・ニーステット／IDG News Service 台北支局)
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