インテルとマイクロンの合弁会社、34nmプロセスのNAND型フラッシュを量産開始
携帯家電への採用を目指し、チップの小型化競争で先行(2008年11月26日)
米国Intelと米国Micron Technologyは11月24日、両社の合弁会社であるIM Flash Technologiesが34nm（ナノメートル）製造プロセスを使ったNAND型フラッシュ・メモリ・チップの量産を開始したことを明らかにした。
現在、NAND型フラッシュ・メモリのチップ・メーカー各社は、より小型で安価な製品を求める消費者のニーズに応えるべく、チップの小型化とコスト削減に取り組んでいる。34nmは、現在のNAND型フラッシュ・メモリ市場では最小の線幅となる。
IM Flash Technologiesは、34nmプロセスで親指サイズの32GB（ギガバイト）NAND型チップを量産することで、デジタルカメラやデジタルビデオ・カメラ、携帯音楽プレーヤーといった製品向けの小型SSD（半導体ディスク）やフラッシュ・メモリ・カードで他社より優位に立ちたい考えだ。
そのため同社では、米国ユタ州の製造工場で生産しているチップの50％を、年内にも34nmプロセスに移行する方針を打ち出している。
一方、世界最大のNAND型フラッシュ・メモリ・チップ・メーカーである韓国Samsung Electronicsは、現在のところは42nmプロセスへの移行を進めている最中であるが、来年には30nmプロセスを用いたチップの生産を開始する計画を公にしている。
同社は昨年、30nmプロセス技術を採用したマルチレベル・セル（MLC）ベースの64GBのNAND型フラッシュ・メモリ・チップの製造に成功している。
(Dan Nystedt／IDG News Service台北支局)
