［米国］
インテル、“安くて”“速い”新SSDを発表

34ナノメートル・プロセスでメモリを縮小・コスト低下を実現

（2009年07月22日）

　米国Intelは7月21日、旧モデルより低価格で書き込み速度の速いSSD（Solid State Disk）の新製品「X25-M SSD」を発表した。ノートブックPC／デスクトップPC向けに開発され、書き込み速度は従来の2倍近くを達成したという。

Intelの新しいSSD「X25-M SSD」は書き込み速度が大きく向上し、従来製品の2倍となった

　IntelのNAND製品担当マーケティング・ディレクター、トロイ・ウィンズロー（Troy Winslow）氏は、「新しい製造プロセスによって低価格化を実現したうえ、より高品質のソフトウェアを使うことで高速化を図ることができた。従来のSSDには50nm（ナノメートル）プロセスで製造されたフラッシュ・チップを使っていたが、新しいドライブには34nmプロセスで製造されたフラッシュ・チップを使用している」と述べる。

　「34nmプロセスに移行することでフラッシュ・メモリ・ダイを縮小することができ、結果的にコスト低下につながった。具体的には、SSDの価格を3四半期前の導入時価格から60％も引き下げることができた」（ウィンズロー氏）

　Intelによると、X25-M SSD 80GB版の書き込み速度は、旧モデルの2倍となる6,600IOPS（1秒間に処理できるI/O回数）を達成。160GB版は、さらに速い8,600IOPSを実現した。ただし、読み込み速度は旧モデルとほぼ同等の3万5,000IOPSである。

　ところで、ドライブ・パフォーマンスを測定するもう1つの方法として、「シーケンシャル・トランスファー（sequential transfer）」に基づくものがある。シーケンシャル・トランスファーは、PCのブートや大容量ファイルの転送など、システムが固定タスクを連続的に実行するときに生じる。この測定基準を用いてX25-M SSDをテストしてみると、従来製品とパフォーマンスは変わらなかった。

　ただし、メモリ・リサーチ企業のForward Insightsで主席アナリストを務めるグレゴリー・ウォン（Gregory Wong）氏によると、ユーザー・データの検索やアプリケーション／ドキュメントの変更といった通常のPCアクティビティに関しては、ランダム・パフォーマンスのほうが測定基準として適切だという。「ユーザーの実行するアクティビティ範囲を見ると、事実上、大半の書き込み／読み出しがシーケンシャルではなくランダムで行われている」（ウォン氏）。

　今回、新たに発表されたドライブは「MLC（Multi Level Cell）」型のSSDである。Intelでは、SLC（Single Level Cell）型を採用した「X25-E」ラインも販売しているが、こちらは耐久性が高い代わりに価格も非常に高い。新しいMLC型SSDの書き込みパフォーマンスは、同社が現在販売しているSLC型SSDの2倍となる。

　ウォン氏は「MLCのランダム書き込みを向上させるのは、SLCに比べて非常に難しい」と語る。「製造技術の進歩により、IntelはSSDの価格をさらに押し下げることができる。同社はある意味、他社よりすぐれたコスト・ポジションを持っているからこそ、価格低下に成功したと言えるだろう」（ウォン氏）

　東芝や韓国Samsungなどの競合他社は、すでに最大容量512GBのSSDを提供している。ウィンズロー氏によれば、Intelは来年までにドライブ容量を倍増させる計画であり、2010年第1四半期にも新しいドライブが登場する可能性もあるという。

　フラッシュ・メモリの製造プロセスの微細化を進めるIntelだが、根本的な物理的問題に直面することも考えられる。ウォン氏は、「製造プロセスが新しくなるたびに、各メモリ・セルに保持される電子が少なくなるため、データ損失の確率が相対的に高くなる」と説明する。

　X25-M SSDは、2.5インチと1.8インチのサイズが用意され、価格は80GB版が1,000個ロット時で225ドル（約2万1,000円）、160GB版は440ドル（約4万1,200円）。「今回発表されたドライブは、最新の34nmプロセスを用いて製造された初の入手可能な商品だろう」（ウォン氏）。

(Agam Shah／IDG News Service サンフランシスコ支局)