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［米国］
IBM、モバイル・デバイス用の新チップ技術を発表

低価格で集積度の高いチップの製造が可能に

（2007年09月13日）

　米国IBMは9月12日、モバイル・デバイス向けの新しいチップ製造技術「CMOS 7RF SOI」を発表した。同社ではCMOS 7RF SOIが実用化されれば、現在のチップよりも低価格で集積度の高いチップの製造が可能となるため、モバイル・デバイスの低価格化と小型化に貢献できるとしている。

　CMOS 7RF SOIは、ニューハンプシャー州にある同社の研究所で、昨年から開発されている。同技術は、現在主流となっているガリウムヒ素を利用する製造プロセスではなく、一世代前のシリコンを利用する製造プロセスが採用されている。

　モバイル・デバイス用のチップでガリウムヒ素が利用されている理由は、シリコンよりも高速で動作することと、消費電力がシリコンの半分以下であることが挙げられる。しかし反面、シリコンよりも高価であるという欠点があった。

　IBMのファウンドリ製品担当ディレクター、ケン・トリノ氏によると、ガリウムヒ素を利用した平均的なモバイル・デバイスの電子機器の製造コストは、1台当たり約20ドルだが、CMOS 7RF SOIを利用すれば、製造コストは1台当たり約1ドル削減できるという。

　トリノ氏は、「シリコンを利用しながら、ガリウムヒ素を利用したときと同様の仕様を満たすことが、大きな課題だった」と語っている。

　またCMOS 7RF SOIを利用すれば、これまで別々のチップに組み込まれていた一部の機能を1つのチップに統合できるため、GPSチップやTVチューナーなど、各種のチップを追加搭載できるという。

　同社では、同技術は、電力制御装置、電力管理装置、マルチモード／バンド切り替え機能などに関連する2〜3のチップを、1つのチップに統合するために利用されると予測している。

　トリノ氏は、多くのモバイル・デバイス開発ベンダーがCMOS 7RF SOIの実用化開発に参加していることを明らかにしたうえで、2008年上半期中にはベンダー向けの設計キットを出荷する予定だと説明した。なおIBMでは、同技術の実用化は、2009年までに実現させたいとしている。

(マット・ハンブレン／Computerworld オンライン米国版)

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